| 摘要 |
本発明の課題は、生産性に優れ、表面のパーティクルが高度に除去されたガスバリアー層を具備し、ダークスポット耐性及びリーク電流耐性に優れた有機ＥＬデバイスの製造方法を提供ことである。本発明の有機ＥＬデバイスの製造方法は、ガスバリアー層形成工程、物理的剥離方法によるガスバリアー層洗浄工程、ガスバリアー層上への有機ＥＬ素子の形成工程を有し、ガスバリアー層は層厚方向で元素組成が連続的に変化し、炭素分布曲線及び酸素分布曲線が極値を有し、最大の極値と最小の極値との差が５ａｔ％以上であり、ガスバリアー層の全層厚の９０％以上の領域で、（炭素原子比率）＜（ケイ素原子比率）＜（酸素原子比率）又は（酸素原子比率）＜（ケイ素原子比率）＜（炭素原子比率）であり、ガスバリアー層の全層厚の９０％以上の領域で、ケイ素原子比率の最大の極値と最小の極値の差が５ａｔ％未満であることを特徴とする。 |
