| 摘要 |
【課題】半導体装置のエミッタ電極とエミッタ領域とのコンタクト抵抗を低減する。【解決手段】第１導電型の半導体基板と、半導体基板の表面に形成されたダミートレンチ部と、半導体基板の表面の上方に形成された、金属を含む第１表面側電極とを備え、半導体基板は、半導体基板の表面から見て順番に設けられた第１導電型のエミッタ領域と、第２導電型のベース領域とを有し、ダミートレンチ部は、半導体基板の表面からエミッタ領域およびベース領域を貫通して形成されたダミートレンチと、ダミートレンチの内部に形成されたダミー導電部とを有し、ダミートレンチの側壁にエミッタ領域の少なくとも一部が露出しており、第１表面側電極は、ダミートレンチの側壁においてエミッタ領域と接触する半導体装置を提供する。【選択図】図２ |
