| 摘要 |
本発明の実施形態は、記憶デバイスに対する書き込み方法および書き込み装置を提供し、ここで、書き込み方法は、書き込まれる必要があるn個の数値を取得するステップと、書き込まれる必要があるn個の数値に対応する、n個のビットと、n個のビットに含まれるstuck-at faultについての情報とを決定するステップと、B個のグループのビットが分類条件を満たし、且つ、n個のビットがB行A列の2次元配列を表すとき、同じグループに属する任意の2個のビットは異なる行および列内にあるか、または、同じ行内にあるように、n個のビットをB個のグループのビットに分類するステップと、n個の数値を、B個のグループのビットにおける各グループのビットに含まれるstuck-at faultについての情報と、書き込まれる必要があり、且つ、B個のグループのビットにおける各グループのビットに含まれるstuck-at faultについての情報に対応する数値とに従って、対応して書き込むステップとを含む。本発明の実施形態では、グループは、同じグループ内の2個の隣接するビット間の間隔を調整することによって決定され、且つ、書き込まれる必要があるn個の数値は、各グループに含まれるstuck-at faultについての情報に従って、対応して書き込まれ、その結果、インピーダンス記憶デバイス内のstuck-at faultによって引き起こされる書き込みエラーが有効に防止されることができる。 |
