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Verfahren zur Herstellung eines SiC-Volumeneinkristalls (2) mittels Sublimationszüchtung, wobei a) vor dem Züchtungsbeginn in einem Kristallwachstumsbereich (5) eines Züchtungstiegels (3) ein SiC-Keimkristall (8) angeordnet wird, und in einen SiC-Vorratsbereich (4) des Züchtungstiegels (3) pulverförmiges SiC-Quellmaterial (6) eingebracht wird, b) während der Züchtung mittels Sublimation des pulverförmigen SiC-Quellmaterials (6) und mittels Transport der sublimierten gasförmigen Komponenten in den Kristallwachstumsbereich (5) dort eine SiC-Wachstumsgasphase (9) erzeugt wird, und der eine zentrale Mittenlängsachse (14) aufweisende SiC-Volumeneinkristall (2) mittels Abscheidung aus der SiC-Wachstumsgasphase (9) auf dem SiC-Keimkristall (8) aufwächst, dadurch gekennzeichnet, dass c) der SiC-Keimkristall (8) während einer Aufheizphase vor dem Züchtungsbeginn so gewölbt wird, dass sich eine SiC-Kristallstruktur mit einem inhomogenen Verlauf von Netzebenen einstellt, wobei die Netzebenen an jeder Stelle einen Neigungswinkel gegenüber der Richtung der Mittenlängsachse (14) haben, und sich periphere Neigungswinkel an einem radialen Rand des SiC-Keimkristalls (8) betragsmäßig um mindestens 0,05° und um höchstens 0,2° von einem zentralen Neigungswinkel am Ort der zentralen Mittenlängsachse (14) unterscheiden, d) die SiC-Kristallstruktur mit dem inhomogenen Netzebenenverlauf während der Züchtung von dem SiC-Keimkristall (8) in den aufwachsenden SiC-Volumeneinkristall (2) fortgepflanzt wird, e) der SiC-Keimkristall (8) vor dem Züchtungsbeginn fest mit einem Keimhalter (19) zu einer Halter-Keim-Einheit (20) verbunden wird, und die Halter-Keim-Einheit (20) mit nach unten gerichteter Wachstumsgrenzfläche (16) des SiC-Keimkristalls (8) im Bereich einer oberen Tiegelstirnwand (7) des Züchtungstiegels (3) lose in den Züchtungstiegel (3) eingelegt wird, wobei zwischen einer vom SiC-Keimkristall (8) abgewandten Rückseite des Keimhalters (19) und der oberen Tiegelstirnwand (7) ein innerhalb einer Wandstruktur des Züchtungstiegels (3) liegender Hohlraum (23) gebildet wird, f) für den Keimhalter (19) eine axiale Halterabmessung (T1) mit einem Wert im Bereich zwischen 0,5 mm und 1,5 mm vorgesehen wird, und g) für den Keimhalter (19) ein Haltermaterial verwendet wird, das einen größeren Wärmeausdehnungskoeffizienten hat als ein SiC-Material des SiC-Keimkristalls (8). |
