在非易失存储器件中形成隧穿绝缘层的方法

摘要

提供了一种形成隧穿绝缘层的方法，由所述方法形成的隧穿绝缘层的尺寸小于通过光刻工艺的分辨率得到的尺寸。所述方法包括的步骤有：在衬底上形成第一绝缘层和第二绝缘层；形成可再次流动的材料层图案，并使之再次流动；去除第二绝缘层和第一绝缘层，以暴露所述衬底；以及形成隧穿绝缘层。

主权项

1.一种形成电可擦可编程存储器件的隧穿绝缘层的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一绝缘层；形成具有孔径的可再次流动的材料层图案，所述孔径具有第一宽度；使所述的孔径宽度为第一宽度的、可再次流动的材料层图案再次流动，以形成经再次流动的材料层图案，其具有的孔径宽度为小于所述第一宽度的第二宽度；去除由所述的、经过再次流动得到的、具有第二宽度孔径的材料层图案暴露的第一绝缘层，以暴露所述衬底；以及在所述的暴露出来的衬底上形成隧穿绝缘层。