| 发明名称 |
エピツイストを利用したシリコン基板上のＧａＮ |
| 摘要 |
シリコン基板上にGaN材料を応力の少ない状態で成長させる方法を提供する。【課題】(100)表面方位または10度までオフセットされた(100)表面方位を有する単結晶シリコン基板10上に、エピツイスト技術を用いて、(110)結晶方位および立方結晶構造を有する希土類酸化物を含む単結晶応力管理層12をエピタキシャルに成長させ、応力管理層12の希土類酸化物よりもGaNの格子面間隔により近い格子面間隔を有する希土類酸化物を含む単結晶バッファ層14をエピタキシャルに成長させ、前記バッファの層14の表面に(11-20)結晶方位および(0001)結晶方位のいずれか１つを有する単結晶GaN材料の層16をエピタキシャルに成長させる。【選択図】図１ |
| 申请公布号 |
JP2017501563(A) |
申请公布日期 |
2017.01.12 |
| 申请号 |
JP20160527405 |
申请日期 |
2014.10.28 |
| 申请人 |
トランスルーセント インコーポレイテッドＴＲＡＮＳＬＵＣＥＮＴ， ＩＮＣ． |
发明人 |
ダルギス，リティス;クラーク，アンドリュー;アルクン，エルデム;ルッカ，ラデク |
| 分类号 |
H01L21/20;C30B25/18;C30B29/38;H01L21/203;H01L21/205 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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