半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

摘要

【課題】基板の処理均一性を向上させる技術を提供する。【解決手段】処理室内の基板上に成膜ガスと第１の不活性ガスを供給し、前記基板上に膜を形成する成膜工程と、前記処理室内に基板が無い状態において、前記第１の不活性ガスよりも高い温度の第２の不活性ガスを、前記処理室内に直接供給することにより、前記成膜工程によって前記処理室内に堆積した堆積膜を除去する堆積膜除去工程と、を有する技術を提供できる。【選択図】図１