| 摘要 |
【課題】ウエーハの裏面にSiO2膜、SiN膜が形成されたりエッチング処理が施されている場合でも、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って適正な改質層を形成してウエーハを個々のデバイスに確実に分割することができるウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに区画された領域にデバイスが形成されたウエーハ２を、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法である。ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側から内部に集光点を位置付けて照射し改質層２１０を形成する工程と、ウエーハの表面に保護部材４を貼着する工程と、保護部材側をチャックテーブル５１に保持し、裏面２ｂを研削して所定の厚みに形成するとともに改質層が形成された分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する裏面研削工程とを含む。【選択図】図５ |
