| 摘要 |
本発明の複合基板の製法は、（ａ）圧電基板と支持基板とを接合してなる直径４インチ以上の貼り合わせ基板の圧電基板側を、前記圧電基板の厚みが３μｍ以下になるまで鏡面研磨する工程と、（ｂ）前記鏡面研磨した圧電基板の厚み分布のデータを作成する工程と、（ｃ）前記厚み分布のデータに基づいてイオンビーム加工機で加工を行うことにより、前記圧電基板の厚みが３μｍ以下、その厚みの最大値と最小値の差が全平面で６０ｎｍ以下、Ｘ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下の結晶性を示す複合基板を得る工程と、を含むものである。 |
