| 摘要 |
【課題】半導体メサ側面に係るリーク電流を低減可能な構造を有する半導体受光素子を作製する方法を提供する。【解決手段】半導体受光素子を作製する方法では、ＩＩＩ族元素及びＶ族元素を備える半導体からなる受光層のための第１半導体層１５（２７、２９）を含む半導体エピタキシャル領域の主面上にマスクを形成する。このマスクを用いて半導体エピタキシャル領域をエッチングして、該エッチングにより形成された半導体メサ２５ａ、２５ｂ、２５ｃを含む基板生産物を形成する。酸素及びＮ２Ｏの少なくともいずれか一方を含むガスをプラズマ処理装置に供給して、該ガスのプラズマにより基板生産物のプラズマ処理を行う。酸化源及びシリコン源を含む原料をプラズマ処理装置に供給して、基板生産物の表面にシリコン酸化膜３７を堆積する。ＩＩＩ族元素は、ガリウム及びインジウムの少なくともいずれかを含む。【選択図】図６ |
