采用暗场硅片检测机台检测光阻损伤的方法

摘要

本发明公开了一种采用暗场硅片检测机台检测光阻损伤的方法，涉及集成电路制造领域。该方法为：启动暗场硅片检测机台；采用所述暗场硅片检测机台对测试样品的边缘区域扫描两次；根据两次扫描结果，获得所述测试样品是否受到光阻损伤。本发明通过预先对测试样品的边缘区域扫描两次，获得测试样品受到光阻损伤的情况，达到了实时扫描，且可以准确地反应机台实际扫描产品时对光阻的损伤程度的目的，而且可以通过检测结果提前预防可能会造成的损伤从而及时避免生产损失。

主权项

采用暗场硅片检测机台检测光阻损伤的方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1.启动暗场硅片检测机台；步骤2.采用所述暗场硅片检测机台对测试样品的边缘区域扫描两次；步骤3.根据两次扫描结果，获得所述测试样品是否受到光阻损伤；其中，所述步骤3还包括步骤31和步骤32；所述步骤31为所述暗场硅片检测机台将两次扫描获得的图像进行处理，获得两次图像信号强度差异值；所述步骤32为判断所述信号强度差异值是否超出设定的信号强度差异范围，若是，则所述测试样品受到光阻损伤，取消对所述测试样品的扫描，若否，则所述测试样品没受到光阻损伤。