| 发明名称 | 化学机械研磨后清洗方法以及化学机械研磨方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种多晶硅化学机械研磨后清洗方法以及化学机械研磨方法。根据本发明的化学机械研磨后清洗方法包括PVA刷洗步骤，所述PVA刷洗步骤包括：首先，利用NH<sub>4</sub>OH浸润冲洗晶圆表面；随后，停止NH<sub>4</sub>OH对晶圆的浸润冲洗；此后，使用刷子刷晶圆表面。本发明先在用NH<sub>4</sub>OH浸润冲洗晶圆表面，待此步骤结束后再使用刷子刷晶圆，这样化学作用和物理作用分离的方法既达到了相同的清洗效果又不会对多晶硅表面已经形成的自然氧化层产生破坏，从而保证了较好的自然氧化层的均匀度，避免了对下一步的回蚀制程的不均匀性的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN102626704B | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201210093921.8 | 申请日期 | 2012.03.31 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 李儒兴;李志国 |
| 分类号 | B08B7/04(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | B08B7/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种化学机械研磨后清洗方法，其特征在于包括PVA刷洗步骤，所述PVA刷洗步骤包括：首先，利用NH<sub>4</sub>OH浸润冲洗晶圆表面；随后，停止NH<sub>4</sub>OH对晶圆的浸润冲洗；此后，使用刷子刷晶圆表面。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||