发明名称 一种提高多孔硅物理结构和光学特性均匀性的新方法
摘要 本发明公开了一种提高多孔硅物理结构和光学特性均匀性的新方法,该方法是在多孔硅制备过程中,通过在腐蚀液中添加少量的臭氧,使多孔硅内表面硅的悬空键或氢键与臭氧中的氧原子结合或置换形成硅‑氧键,腐蚀液中的氢氟酸腐蚀掉部分内表面的硅‑氧键,从而导致在多孔硅膜沿纵向方向上的随腐蚀深度增加而腐蚀的硅‑氧键减少的特点,而在正常腐蚀条件下,随腐蚀深度的增加,多孔度变大或折射率变小,在一定条件下,二者达到动态平衡,使多孔硅材料沿纵向方向其多孔度保持均匀性,增强了多孔硅材料内表面的均匀性、光滑度和机械强度。
申请公布号 CN106328495A 申请公布日期 2017.01.11
申请号 CN201610876840.3 申请日期 2016.10.09
申请人 湖南文理学院 发明人 龙永福;曹勇
分类号 H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 常德市源友专利代理事务所 43208 代理人 江妹
主权项 一种提高多孔硅物理结构和光学特性均匀性的方法,其特征在于,在腐蚀液中添加臭氧,在制备多孔硅过程中,一方面,由臭氧中的氧原子将多孔硅内表面硅柱上硅原子的悬空键或氢键用氧原子取代,在多孔硅内表面形成一层硅‑氧键构成的膜,一方面,由腐蚀液中的氢氟酸与多孔硅内表面的硅‑氧键反应,腐蚀掉部分内表面的硅‑氧键,从而导致在多孔硅膜沿纵向方向上的随腐蚀深度增加而腐蚀的硅‑氧键减少的特点。
地址 415000 湖南省常德市武陵区洞庭大道西段388号