| 摘要 |
방법은, 웨이퍼의 표면에 트랜지스터의 더미 게이트를 형성하는 단계, 더미 게이트를 제거하는 단계, 및 제거된 더미 게이트에 의하여 남겨진 트렌치 내로 금속성 물질을 충진하는 단계를 포함한다. 그 후 금속성 물질 상에 화학 기계적 연마(CMP)가 수행되며, 금속성 물질의 남겨진 부분은 트랜지스터의 금속 게이트를 형성한다. CMP 이후에, 금속 게이트의 노출된 상부면 상에서 염소 및 산소를 포함하는 산화-및-에칭제(oxidation-and-etching agent)를 사용하여 처리가 수행된다. |
