发明名称 |
碳化硅纳米线原位增强的碳化硅纤维材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种碳化硅纳米线原位增强的碳化硅纤维材料及其制备方法。该碳化硅纳米线原位增强的碳化硅纤维材料包括碳化硅纤维基体和碳化硅纳米线,碳化硅纳米线原位生长且均匀分布于碳化硅纤维基体表面和内部,碳化硅纳米线之间相互缠绕成网状结构。制备方法包括:(1)预处理;(2)表面化学改性处理;(3)加载催化剂;(4)化学气相沉积。本发明的碳化硅纳米线原位增强的碳化硅纤维材料,引入的碳化硅纳米线含量高、分布均匀且与碳化硅纤维结合良好,其制备方法具有制备工艺简单,设备要求低,制备周期短,制备过程中对环境无污染等优点。 |
申请公布号 |
CN106319934A |
申请公布日期 |
2017.01.11 |
申请号 |
CN201510371113.7 |
申请日期 |
2015.06.30 |
申请人 |
中国人民解放军国防科学技术大学 |
发明人 |
余金山;周新贵;王洪磊;曾穗娟;殷刘彦;杨备;杨会永 |
分类号 |
D06M11/77(2006.01)I;D06M13/402(2006.01)I;D06M13/342(2006.01)I |
主分类号 |
D06M11/77(2006.01)I |
代理机构 |
湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 |
代理人 |
赵洪;黄丽 |
主权项 |
一种碳化硅纳米线原位增强的碳化硅纤维材料,其特征在于,包括碳化硅纤维基体和碳化硅纳米线,所述碳化硅纳米线原位生长且均匀分布于所述碳化硅纤维基体表面和内部,所述碳化硅纳米线之间相互缠绕成网状结构。 |
地址 |
410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学一院CFC重点实验室 |