发明名称 |
工艺腔室 |
摘要 |
本发明涉及半导体加工和制造领域。本发明揭示了一种工艺腔室,用于对晶圆进行干法工艺处理,工艺腔室设置有进气喷头和排放口供工艺气体进出,工艺气体由进气喷头引入工艺腔室,再通过排放口排出,工艺腔室还设置有晶圆载盘和承放工位,晶圆载盘上开设有凹陷空间供承放工位嵌入,承放工位固持晶圆且晶圆的上表面低于晶圆载盘的上表面,晶圆载盘的边缘留有豁口,该豁口的位置与承放工位的位置相对应,豁口与凹陷空间相连通以供工艺气体通过;在工艺进行的过程中,进气喷头插入至晶圆载盘内一定深度并贴近晶圆的上表面。半导体行业中的工艺气体非常昂贵,采用本发明的技术方案,能够大幅减少工艺气体的浪费,为厂商减少开支,节约成本。 |
申请公布号 |
CN106328558A |
申请公布日期 |
2017.01.11 |
申请号 |
CN201510373139.5 |
申请日期 |
2015.06.30 |
申请人 |
盛美半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
肖东风;贾照伟;王坚;王晖 |
分类号 |
H01L21/67(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/67(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
施浩 |
主权项 |
一种工艺腔室,用于对晶圆进行干法工艺处理,其特征在于,所述工艺腔室设置有进气喷头和排放口供工艺气体进出,所述工艺气体由进气喷头引入工艺腔室,再通过排放口排出,所述工艺腔室还设置有晶圆载盘和承放工位,所述晶圆载盘上开设有凹陷空间供所述承放工位嵌入,所述承放工位固持所述晶圆且所述晶圆的上表面低于所述晶圆载盘的上表面,所述晶圆载盘的边缘留有豁口,该豁口的位置与所述承放工位的位置相对应,所述豁口与所述凹陷空间相连通以供工艺气体通过;在工艺进行的过程中,所述进气喷头插入至所述晶圆载盘内一定深度并贴近所述晶圆的上表面。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区中国上海张江高科技园区蔡伦路1690号第4幢 |