| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件，包括衬底、衬垫和外延结构。衬底具有凹槽。衬垫设置在凹槽中。衬垫比衬底更加致密。外延结构设置在凹槽中。衬垫设置在外延结构和衬底之间。本发明涉及半导体器件及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN106328536A | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201510766070.2 | 申请日期 | 2015.11.11 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈治棻;彭垂亚;游靖;林炳亨;庄严;范彧达 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底，具有凹槽；衬垫，设置在所述凹槽中，其中，所述衬垫比所述衬底更致密；以及外延结构，设置在所述凹槽中，其中，所述衬垫设置在所述外延结构与所述衬底之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||