发明名称 |
薄膜晶体管的制备方法 |
摘要 |
薄膜晶体管的制备方法,属于半导体显示技术领域,本发明包括下述步骤:1)ITO玻璃衬底基片清洗;2)制备Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:PVP绝缘层:ITO玻璃衬底上旋涂Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:PVP前驱体溶液,然后在200℃~250℃条件下退火,然后重复旋涂——退火至少一次,得到Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:PVP绝缘层;3)制备有缘层:在气压低于3×10<sup>‑4</sup>Pa的环境中,对步骤2)处理后的ITO玻璃衬底基片进行蒸镀,蒸镀材料为Pentacene材料,得到有缘层薄膜;4)制备源极和漏极:以Au作为源极和漏极的电极材料,在步骤3)处理后的基片的有缘层薄膜上蒸镀制备源电极和漏电极,蒸镀的气压低于3×10<sup>‑4</sup>Pa。本发明采用燃烧法只需要较低的引导温度,自产生的高能量可实现在低温下将前驱体转化成相应的氧化物。 |
申请公布号 |
CN106328542A |
申请公布日期 |
2017.01.11 |
申请号 |
CN201611031040.8 |
申请日期 |
2016.11.16 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
林慧;匡鹏;叶旭 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 |
代理人 |
刘勋 |
主权项 |
薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:1)ITO玻璃衬底基片清洗;2)制备Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:PVP绝缘层:ITO玻璃衬底上旋涂Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:PVP前驱体溶液,然后在200℃~250℃条件下退火,然后重复旋涂——退火至少一次,得到Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:PVP绝缘层;3)制备有缘层:在气压低于3×10<sup>‑4</sup>Pa的环境中,对步骤2)处理后的ITO玻璃衬底基片进行蒸镀,蒸镀材料为Pentacene材料,得到有缘层薄膜;4)制备源极和漏极:以Au作为源极和漏极的电极材料,在步骤3)处理后的基片的有缘层薄膜上蒸镀制备源电极和漏电极,蒸镀的气压低于3×10<sup>‑4</sup>Pa。 |
地址 |
610000 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |