发明名称 |
一种高质量超薄二维过渡族金属碳化物晶体及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及二维过渡族金属碳化物新材料及其化学气相沉积(CVD)制备领域,具体为一种高质量超薄二维过渡族金属碳化物晶体及其制备方法,适于制备大面积的高质量超薄二维过渡族金属碳化物。采用铜箔(上层)/过渡族金属箔片(底层)构成的双金属叠片作为生长基体,在高温下通过CVD技术催化裂解碳源生长出超薄二维过渡金属碳化物晶体,后续刻蚀掉铜基底得到超薄二维过渡族金属碳化物晶体。本发明具有制备工艺简单,产物厚度和尺寸易于调控以及适于大面积制备等特点,从而为高质量超薄二维过渡族金属碳化物晶体在催化、储能、耐磨涂层、透明导电薄膜、热管理以及二维超导领域的研究和应用奠定了基础。 |
申请公布号 |
CN106319628A |
申请公布日期 |
2017.01.11 |
申请号 |
CN201510394667.9 |
申请日期 |
2015.07.06 |
申请人 |
中国科学院金属研究所 |
发明人 |
任文才;徐川;陈龙;成会明 |
分类号 |
C30B29/36(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/36(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 |
代理人 |
张志伟 |
主权项 |
一种高质量超薄二维过渡族金属碳化物晶体,其特征在于:过渡族金属碳化物厚度为0.5nm~1000nm,尺寸取决于生长过程中所使用的基体尺寸,整个材料成分均一、无缺陷和空位,电导率为10S/cm~100000S/cm,透光率最高可达97%。 |
地址 |
110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 |