| 发明名称 | 有机光电器件、图像传感器以及电子装置 | ||
| 摘要 | 一种有机光电器件包括彼此面对的第一电极和第二电极以及光吸收层，该光吸收层在第一电极和第二电极之间，并且包括：最靠近第一电极的第一区域，该第一区域具有p型半导体相对于n型半导体的第一成分比(p<sub>1</sub>/n<sub>1</sub>)；最靠近第二电极的第二区域，该第二区域具有p型半导体相对于n型半导体的第二成分比(p<sub>2</sub>/n<sub>2</sub>)；以及在厚度方向上在第一区域和第二区域之间的第三区域，该第三区域具有p型半导体相对于n型半导体的第三成分比(p<sub>3</sub>/n<sub>3</sub>)，该第三成分比大于或小于第一成分比(p<sub>1</sub>/n<sub>1</sub>)和第二成分比(p<sub>2</sub>/n<sub>2</sub>)。 | ||
| 申请公布号 | CN106328666A | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201610515592.X | 申请日期 | 2016.07.01 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李启滉;尹晟荣;陈勇完 |
| 分类号 | H01L27/30(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 翟然 |
| 主权项 | 一种有机光电器件，包括：彼此面对的第一电极和第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间的光吸收层，所述光吸收层包括，最靠近所述第一电极的第一区域，所述第一区域具有p型半导体相对于n型半导体的第一成分比(p<sub>1</sub>/n<sub>1</sub>)，最靠近所述第二电极的第二区域，所述第二区域具有所述p型半导体相对于所述n型半导体的第二成分比(p<sub>2</sub>/n<sub>2</sub>)，以及在厚度方向上在所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域，所述第三区域具有所述p型半导体相对于所述n型半导体的第三成分比(p<sub>3</sub>/n<sub>3</sub>)，该第三成分比大于或小于所述第一成分比(p<sub>1</sub>/n<sub>1</sub>)和所述第二成分比(p<sub>2</sub>/n<sub>2</sub>)。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||