| 发明名称 | TFT阵列基板、制造方法及其显示面板 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种TFT阵列基板，其包括：第一电极层、第二电极层、绝缘层和刻蚀阻挡层；所述阵列基板包含存储电容区域，其中所述存储电容区域中，存储电容包括依次层叠的该第一电极层、该刻蚀阻挡层和该第二电极层。所述TFT阵列基板，薄化了存储电容结构厚度，提高了存储电容的电容值，从而提升其所应用的显示面板的图像显示质量。 | ||
| 申请公布号 | CN103943628B | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201310476913.6 | 申请日期 | 2013.10.14 |
| 申请人 | 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 | 发明人 | 楼均辉 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 孟金喆 |
| 主权项 | 一种TFT阵列基板，其包括：第一电极层、第二电极层、绝缘层和刻蚀阻挡层；所述阵列基板包含存储电容区域，其中所述存储电容区域中，存储电容包括依次层叠的该第一电极层、该刻蚀阻挡层和该第二电极层；其中，所述存储电容区域中的刻蚀阻挡层与第一、第二电极层直接接触；或所述存储电容区域位于所述第一电极层上方的至少部分绝缘层厚度小于TFT区域位于所述第一电极层上方的绝缘层厚度。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区汇庆路889号 | ||