| 发明名称 | 一种超低损耗的高频信号移相处理器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种超低损耗的高频信号移相处理器件，其包括衬底、电介质薄膜及导体，所述电介质薄膜设置于衬底上，所述导体设置于电介质薄膜上，所述导体为超导材料制成。本发明具有结构简单紧凑、制作方便、可降低高频应用下移相器传输线导体损耗、实现低损耗高频信号传输等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103956539B | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201410176432.8 | 申请日期 | 2014.04.29 |
| 申请人 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 发明人 | 陈书明;张金英;宁希;池雅庆;梁斌 |
| 分类号 | H01P1/18(2006.01)I;H01Q3/34(2006.01)I | 主分类号 | H01P1/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人 | 周长清 |
| 主权项 | 一种超低损耗的高频信号移相处理器件，包括衬底（1）、电介质薄膜（2）及导体（3），所述电介质薄膜（2）设置于衬底（1）上，所述导体（3）设置于电介质薄膜（2）上，其特征在于，所述导体（3）为超导材料制成，所述导体（3）与电介质薄膜（2）之间设置有第一金属层（4）。 | ||
| 地址 | 410073 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学计算机学院微电子与微处理器研究所 | ||