发明名称 MANUFACTURING METHOD FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM SPUTTERING DEVICE AND SPUTTERING TARGET
摘要 [과제] 수증기를 이용하지 않고, 양호한 에칭 특성 및 도전 특성을 가지는 투명 도전막을 형성할 수 있는, 투명 도전막의 제조 방법을 제공한다. [해결 수단] 본 발명의 한 형태와 관련되는 투명 도전막의 제조 방법은, 산화 인듐으로 이루어진 제1의 성분과, 산화 주석으로 이루어진 제2의 성분과, La, Nd, Dy, Eu, Gd, Tb, Zr, Al, Si, Ti 및 B 중에서 선택되는 적어도 1종의 원소 또는 그 산화물로 이루어진 제3의 성분을 포함한 타겟 재료를 스퍼터링하는 것으로, 기판 상에 인듐 주석 산화물 박막을 형성하는 공정과, 상기 인듐 주석 산화물 박막을 에칭액으로 패터닝 하는 공정과, 상기 인듐 주석 산화물 박막을 열처리에 의해서 결정화하는 공정을 가진다. 이것에 의해, 성막 직후의 ITO 막이 약산으로 에칭 가능하게 되어, 또, 상기 ITO 막에 소망한 도전 특성을 부여할 수 있다.
申请公布号 KR20170005149(A) 申请公布日期 2017.01.11
申请号 KR20167036789 申请日期 2010.11.16
申请人 가부시키가이샤 아루박 发明人 유카와, 토미유키;타케이, 마사키;코바야시, 모토시;아카마츠, 야스히코;키요타, 준야;마스자와, 켄지;이시바시, 사토루
分类号 C23C14/08;C09K13/00;C23C14/34;C23C14/35;C23C14/54;C23C14/58 主分类号 C23C14/08
代理机构 代理人
主权项
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