顶发射QLED器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种顶发射QLED器件，包括依次设置的基板、图案化像素电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，所述电子传输层和所述量子点发光层之间层叠设置有传输中间层，所述图案化像素电极的像素电极之间设置有阵列结构的绝缘层，所述绝缘层穿透所述电子传输层与所述传输中间层相连，且所述传输中间层和所述绝缘层均采用PMMA材料制成；在所述传输中间层上、且与所述绝缘层对应区域设置有用于隔离不同颜色量子点材料的隔离柱。

主权项

一种顶发射QLED器件，包括依次设置的基板、图案化像素电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，其特征在于，所述电子传输层和所述量子点发光层之间层叠设置有传输中间层，所述图案化像素电极的像素电极之间设置有阵列结构的绝缘层，所述绝缘层穿透所述电子传输层与所述传输中间层相连，且所述传输中间层和所述绝缘层均采用PMMA材料制成；在所述传输中间层上、且与所述绝缘层对应区域设置有用于隔离不同颜色量子点材料的隔离柱。