| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件包括：提供衬底，所述衬底表面具有第一鳍部，所述第一鳍部和衬底内具有阱区，所述阱区内具有第二类型离子；在所述第一鳍部内形成电阻区，所述电阻区内具有第一类型离子；在所述衬底表面形成隔离层，所述隔离层覆盖所述第一鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的表面低于第一鳍部的顶部表面；形成横跨所述第一鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分第一鳍部的侧壁和顶部表面以及部分隔离层表面；在所述栅极结构两侧的第一鳍部阱区内形成源区和漏区，所述源区和漏区内具有第一类型离子，且所述漏区与所述电阻区相连接。所述半导体器件性能改善。 | ||
| 申请公布号 | CN106328695A | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201510377767.0 | 申请日期 | 2015.07.01 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 周飞 |
| 分类号 | H01L29/66(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静;吴敏 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有第一鳍部，所述第一鳍部和衬底内具有阱区，所述阱区内具有第二类型离子；在所述第一鳍部内形成电阻区，所述电阻区内具有第一类型离子；在所述衬底表面形成隔离层，所述隔离层覆盖所述第一鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的表面低于第一鳍部的顶部表面；形成横跨所述第一鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分第一鳍部的侧壁和顶部表面以及部分隔离层表面；在所述栅极结构两侧的第一鳍部阱区内形成源区和漏区，所述源区和漏区内具有第一类型离子，且所述漏区与所述电阻区相连接。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||