| 发明名称 | 超结功率器件的制备方法和超结功率器件 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种超结功率器件的制备方法和超结功率器件，其中，上述制备方法，包括：在衬底上依次形成第一外延层和第二外延层；在第一外延层和第二外延层内形成垂直于衬底的沟槽，沟槽的深度等于第一外延层和第二外延层的厚度之和；在第一外延层对应的沟槽内形成第三外延层，第一外延层的厚度与第三外延层的厚度一致，以形成第一级超结功率单元；在第三外延层的上方形成第四外延层，第二外延层的厚度与第四外延层的厚度一致，以形成第二级超结功率单元，进而完成超结功率器件的制备过程。通过本发明的技术方案，形成了兼容了两种掺杂浓度的超结结构的超结功率器件，既满足了低导通电阻的需求，同时，也满足了对电荷失衡的低敏感度的需求。 | ||
| 申请公布号 | CN106328488A | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201510359333.8 | 申请日期 | 2015.06.25 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 李理;马万里;赵圣哲 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人 | 尚志峰;汪海屏 |
| 主权项 | 一种超结功率器件的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上依次形成第一外延层和第二外延层；在所述第一外延层和所述第二外延层内形成垂直于所述衬底的沟槽，所述沟槽的深度等于所述第一外延层和所述第二外延层的厚度之和；在所述第一外延层对应的沟槽内形成第三外延层，所述第一外延层的厚度与所述第三外延层的厚度一致，以形成第一级超结功率单元；在所述第三外延层的上方形成第四外延层，所述第二外延层的厚度与所述第四外延层的厚度一致，以形成第二级超结功率单元，进而完成所述超结功率器件的制备过程。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||