发明名称 阵列基板及其制造方法和液晶显示器件
摘要 本发明涉及一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器件,所述阵列基板包括:衬底基板和多个像素单元,所述多个像素单元位于所述衬底基板上,所述像素单元包括依次层叠的第一电极、第一绝缘层和第二电极;其中,所述第一电极具有开口,所述第一电极的下方形成有一辅助电极,所述第二电极的形状为V形,所述V形的拐角在垂直衬底基板方向上的投影落在所述开口的图形中。本发明的阵列基板及其制造方法和液晶显示器件中,通过在第一电极的下方增加一辅助电极,所述辅助电极正对V形的第二电极的拐角,因此所述辅助电极能够推动位于所述拐角位置的液晶分子进行转动,从而改善向错和按压不均现象。
申请公布号 CN103984160B 申请公布日期 2017.01.11
申请号 CN201310744501.6 申请日期 2013.12.27
申请人 厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 发明人 叶岩溪;沈柏平;吴玲
分类号 G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 主分类号 G02F1/1343(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 郑玮
主权项 一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板和多个像素单元,所述多个像素单元位于所述衬底基板上,所述像素单元包括依次层叠的第一电极、第一绝缘层和第二电极;其中,所述第一电极具有开口,所述第一电极的下方形成有一辅助电极,所述第二电极的形状为V形,所述V形的拐角在垂直衬底基板方向上的投影落在所述开口的图形中,并且所述辅助电极位于所述V形的拐角和所述开口的正下方,所述辅助电极产生的电场能够通过所述开口作用于所述V形的拐角位置及其附近的液晶分子。
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