| 发明名称 | 一种快速恢复二极管 | ||
| 摘要 | 本实用新型实施例公开了一种快速恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层(2)；第二导电类型半导体层(4)，其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结；局域寿命控制层(5)，设置在所述第二导电类型半导体层(4)内，且所述局域寿命控制层(5)的中心距离所述第二导电类型半导体层(4)的所述底面至少3μm，距离所述第二导电类型半导体层(4)的顶面至少7μm。由此实现了减小反向漏电流和减小反向恢复峰值电流之间的平衡，从而保证了二极管的反向阻断性能和反向恢复。 | ||
| 申请公布号 | CN205881912U | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201620582038.9 | 申请日期 | 2016.06.15 |
| 申请人 | 全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司 | 发明人 | 吴迪;刘钺杨;何延强;和峰;金锐;温家良;潘艳 |
| 分类号 | H01L29/868(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/868(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人 | 吴黎 |
| 主权项 | 一种快速恢复二极管，其特征在于，包括：第一导电类型半导体层(2)；第二导电类型半导体层(4)，其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结；局域寿命控制层(5)，设置在所述第二导电类型半导体层(4)内，且所述局域寿命控制层(5)的中心距离所述第二导电类型半导体层(4)的所述底面至少3μm，距离所述第二导电类型半导体层(4)的顶面至少7μm。 | ||
| 地址 | 102211 北京市昌平区北七家镇未来科技城北区国家电网院内 | ||