摘要 |
그래핀의 제조 방법은 원자층 퇴적법에 의해 하지층(1) 상에 탄소 함유층(7)을 형성하는 탄소 함유층 형성 공정과, 상기 탄소 함유층으로부터 아몰퍼스 탄소층(9)을 형성하는 제1 열처리 공정과, 상기 아몰퍼스 탄소층으로부터 그래핀(11)을 형성하는 제2 열처리 공정을 갖는다. 상기 제1 열처리 공정에 있어서의 온도는 600℃ 이하인 것이 바람직하다. 상기 탄소 함유층이 중합체를 포함하는 경우, 상기 중합체를 구성하는 단량체에 포함되는 방향환의 수가 1 이하인 것이 바람직하다. |