| 摘要 |
하나 이상의 비평면형 금속 산화물 반도체 트랜지스터들(MOSFETs)을 이용하는 스냅백 ESD 보호 디바이스가 개시된다. ESD 보호 디바이스들은 저농도로 도핑된 확장 드레인 영역들을 더 포함할 수 있고, 저농도로 도핑된 확장 드레인 영역들의 저항들은 접지 전위에 홀딩된 게이트 전극과 독립적으로 제어 게이트들을 통해 용량적으로 제어될 수 있다. 제어 게이트들은 ESD 보호 디바이스 성능을 조절하기 위해 플로팅되거나 바이어싱될 수 있다. 실시예들에서, 복수의 코어 회로들은 제어 게이트 전위들이 복수로 변화하는 복수의 비평면형 MOSFET 기반 ESD 보호 디바이스들로 보호된다. |
