| 摘要 |
【課題】本発明は、Ｔ−ｔｙｐｅまたはＡＮＰＣ形Ｉ−ｔｙｐｅの３レベルインバータにおいて、１相分を２個の同一の半導体装置で構成することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明による半導体装置は、Ｔ−ｔｙｐｅまたはＡＮＰＣ（Active Neutral Point Clamped）形Ｉ−ｔｙｐｅの３レベルインバータに用いられる半導体装置であって、ダイオードが逆並列に接続された自己消弧機能を有するＩＧＢＴ２、ＩＧＢＴ３、およびＩＧＢＴ４を備え、ＩＧＢＴ２およびＩＧＢＴ３は、互いに直列に接続され、ＩＧＢＴ４は、ＩＧＢＴ２およびＩＧＢＴ３とは絶縁されていることを特徴とする。【選択図】図１ |
