| 摘要 |
【課題】ゲート電極用のリセスが高い精度で形成され、アクセス抵抗をより低減することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】バッファ層１０２と、バッファ層１０２上のキャリア供給層１０３と、キャリア供給層１０３上のチャネル層１０４と、チャネル層１０４上のエッチングストッパ層１０５と、エッチングストッパ層１０５上のキャップ層１０６と、チャネル層１０４上方のゲート電極１１３、ソース電極１１１及びドレイン電極１１２と、が含まれる。エッチングストッパ層１０５は、キャップ層１０６に含まれる各成分及びＰを含み、キャップ層１０６にリセス１１６が形成されており、ゲート電極１１３はリセス１１６内で絶縁膜１１７を介してチャネル層１０４上方に形成されている。【選択図】図２ |
