ＮｂＯ２焼結体及び該焼結体からなるスパッタリングターゲット並びにＮｂＯ２焼結体の製造方法

摘要

【要約書】本発明は、ＮｂＯ２の（４００）面からのＸ線回折ピーク強度に対する、Ｎｂ２Ｏ５の（００１）面もしくは（１１０）面からのＸ線回折ピーク強度の強度比が１％以下であることを特徴とするＮｂＯ２焼結体に関する。高価なＮｂＯ２原料を用いることなく、ＲｅＲＡＭ用の高品質な抵抗変化層を形成するためのスパッタリングターゲットに適用できるＮｂＯ２焼結体を提供するものである。特には、スパッタリング安定化に適した、高密度で単相のＮｂＯ２焼結体を提供することを課題とする。【選択図】図１