| 摘要 |
【課題】半導体装置に良好な電気特性を付与すること。【解決手段】絶縁層と、絶縁層上に島状の半導体層と、半導体層上で離間し、半導体層とそれぞれ電気的に接続する一対の電極と、半導体層上にゲート電極と、半導体層とゲート電極との間にゲート絶縁層と、を有する構成とする。また、絶縁層は島状の突出部を有し、絶縁層の突出部の上面は、半導体層の下面に接し、且つ、上方から見て半導体層よりも内側に位置し、一対の電極は、半導体層の上面の一部及び側面の一部を覆うように設けられる。さらに、一対の電極と重ならない領域において、ゲート電極及びゲート絶縁層は、半導体層の上面及び側面、並びに絶縁層の突出部の側面を覆うように設けられる領域を有する。【選択図】図１ |
