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发明名称
光電変換素子
摘要
光電変換素子は、第1電極層と、光電変換層と、第2電極層とを有する。第1電極層は、第1基材と、この第1基材上に形成された粗膜層とを含む。光電変換層は粗膜層上に形成され、第2電極層は光電変換層上に形成されている。粗膜層は第1基材の表面に不規則に連ねられた複数個の金属微粒子で構成され、光電変換層は粗膜層を構成する複数個の金属微粒子の間に入り込んでいる。
申请公布号
JPWO2014087586(A1)
申请公布日期
2017.01.05
申请号
JP20140550897
申请日期
2013.11.18
申请人
パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人
森浦 祐太;石本 仁
分类号
H01L51/44
主分类号
H01L51/44
代理机构
代理人
主权项
地址
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