複数のフィン高を有するフィン電界効果トランジスタを製造するシステムおよび方法

摘要

装置が、第１のエッチングストップ層の表面から延びる第１のフィン電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）デバイスを備える。装置はまた、第２のエッチングストップ層の表面から延びる第２のＦｉｎＦＥＴデバイスをも備える。第１の化合物層が、前記第１のエッチングストップ層と前記第２のエッチングストップ層との間に置かれる。