Fin-Feldeffekttransistor-Vorrichtungsstruktur (FinFET-Vorrichtungsstruktur) und Verfahren zu ihrer Herstellung

摘要

Eine FinFET-Vorrichtungsstruktur und ein Verfahren zum Ausbilden von dieser sind bereitgestellt. Die Fin-Feldeffekttransistor-Vorrichtungsstruktur (FinFET-Vorrichtungsstruktur) umfasst eine über einem Substrat ausgebildete Finnenstruktur und eine Gatestruktur, die die Finnenstruktur quert. Die Gatestruktur umfasst eine Gateelektrodenschicht, die einen oberen Abschnitt über der Finnenstruktur und einen unteren Abschnitt unter der Finnenstruktur umfasst. Der obere Abschnitt weist eine obere Fläche mit einer ersten Breite auf, der untere Abschnitt weist eine untere Fläche mit einer zweiten Breite auf, und die erste Breite ist größer als die zweite Breite.