| 发明名称 |
ETCHING SOLUTION FOR SILICON NITRIDE LAYER |
| 摘要 |
본 발명은 실리콘 질화막 식각 용액에 관한 것이며, 보다 상세하게는 반도체 제조 공정에서 습식 식각하는 경우 실리콘 산화막에 비해 실리콘 질화막에 대한 식각 선택비가 높은 식각 용액에 관한 것이다. |
| 申请公布号 |
KR20170001801(A) |
申请公布日期 |
2017.01.05 |
| 申请号 |
KR20150090545 |
申请日期 |
2015.06.25 |
| 申请人 |
오씨아이 주식회사 |
发明人 |
한승현;장욱 |
| 分类号 |
C09K13/06;C07F7/08;C09K13/08;H01L21/306 |
主分类号 |
C09K13/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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