| 摘要 |
【課題】表面光起電力法を用いた場合でも、抵抗率の経時変化を抑制することができるシリコンエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法を提供する。【解決手段】シリコンエピタキシャルウェーハを準備する工程ａと、熱可塑性エラストマーを含む材料からなる第１の基板収納容器内に収納する第１収納工程ｂと、シリコンエピタキシャルウェーハの表面に付着した熱可塑性エラストマーを除去する清浄化工程ｃと、清浄化したシリコンエピタキシャルウェーハを、熱可塑性エラストマーを含まない材料からなる第２の基板収納容器内に収納する第２収納工程ｄと、清浄化したシリコンエピタキシャルウェーハの表面にコロナ放電により静電気を帯電させ、表面光起電力法によって抵抗率を測定する抵抗率測定工程ｅと、を行う。【選択図】図１ |
