Verfahren zur Herstellung von Silizium-Epitaxiewafern

摘要

Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Epitaxiewafers durch Bilden einer Epitaxieschicht auf einer Oberfläche eines Siliziumwafers, der durch Aufschneiden eines Silizium-Einkristalls erhalten wurde, wobei das Verfahren zumindest umfasst: Erhalten des Siliziumwafers durch Aufschneiden des Silizium-Einkristalls, der mit Arsen derart dotiert ist, dass sein Widerstand 1,0 bis 1,7 mΩcm beträgt; Durchführen einer Wärmebehandlung auf dem erhaltenen Siliziumwafer bei einer Temperatur von 850 bis 1200°C, um Vertiefungen zu produzieren; Entfernen der produzierten Vertiefungen durch Hochglanzpolieren des der Wärmebehandlung unterzogenen Siliziumwafers; und Bilden der Epitaxieschicht auf der hochglanzpolierten Oberfläche des Siliziumwafers.