半導体装置

摘要

本明細書が開示する第１の半導体装置は、アノード領域と、カソード領域とを有する半導体基板を備えている。アノード領域は、半導体基板の表面から第１の深さとなる位置に第１導電型の不純物濃度の最大値を有する、第１導電型の第１領域と、第１の深さより半導体基板の表面側の第２の深さとなる位置に第１導電型の不純物濃度の最大値を有する第１導電型の第２領域と、第１領域と第２領域との間に設けられ、第１導電型の不純物濃度が半導体基板の表面の１／１０以下である第３領域と、を含む。