| 摘要 |
【課題】トレンチゲート構造において、チャネルの電気特性を確保しつつ、耐電圧特性を向上させる。【解決手段】半導体装置は、上面と側面とを有する台地状を成すメサ構造と、メサ構造の周囲に広がる周囲面と、を有する第１のｎ型半導体層と；周囲面と側面とが成す角部から少なくとも側面にわたって形成された第１のｐ型半導体層と；第１のｐ型半導体層より低い濃度でアクセプタ元素を含有し、第１のｐ型半導体層の上に形成された第２のｐ型半導体層と；第１のｎ型半導体層より高い濃度でドナー元素を含有し、第２のｐ型半導体層の上に形成された第２のｎ型半導体層と；第２のｎ型半導体層から第２のｐ型半導体層を貫通し上面の内側に至るまで落ち込んだ溝部と；溝部の表面に形成された絶縁膜と；絶縁膜を介して溝部に形成された電極とを備える。【選択図】図３ |
