| 摘要 |
赤外線検出器は、半導体基板（１）と、半導体基板（１）上に形成された第１のコンタクト層（３）と、第１のコンタクト層（３）上に形成された光吸収層（４）と、光吸収層（４）上に形成された第２のコンタクト層（５）と、第１のコンタクト層（３）と第２のコンタクト層（５）との間に電圧を印加する電圧源（８）と、を備える。光吸収層（４）は、第１の中間層（４１Ａ）、量子ドット層（４２）、第２の中間層（４１Ｂ）、電流ブロック層（４３）、第３の中間層（４１Ｃ）、電子ドープ層（４４）の順で積層された部分を、少なくとも１つ備える。電流ブロック層（４３）の伝導帯の底のエネルギーは中間層（４１）の伝導帯の底のエネルギーよりも大きく、第１の中間層（４１Ａ）の厚さが、第３の中間層（４１Ｃ）の厚さよりも厚い。これにより、信号対雑音比の高い赤外線検出器を提供することができる。 |
