| 发明名称 | 隧穿场效应晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种隧穿场效应晶体管的制造方法，包括：提供第一支撑衬底；在第一支撑衬底上依次形成第一去除层、半导体层、第一栅介质层和第一栅极，以及在半导体层的两侧形成具有不同的掺杂类型、与半导体层相接触的源极区和漏极区；形成覆盖源极区、漏极区和第一栅极的介质层；将介质层与第二支撑衬底键合；以第二支撑衬底为支撑，去除第一支撑衬底以及第一去除层，并在半导体层上依次形成第二栅介质层和第二栅极；形成连接第二栅极的第二金属层；形成源漏接触，以及与第二金属层连接的接触。本发明制造的晶体管结构可提高导通电流，改善器件的亚阈值特性。此外，由于采用双栅控制，因此能更好控制双极导通特性，实现器件关断。 | ||
| 申请公布号 | CN104347725B | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201310315534.9 | 申请日期 | 2013.07.25 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱正勇;朱慧珑;许淼 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 王立民 |
| 主权项 | 一种隧穿场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：步骤S01，提供第一支撑衬底；步骤S02，在第一支撑衬底上依次形成第一去除层、半导体层、第一栅介质层和第一栅极，以及在半导体层的两侧形成具有不同的掺杂类型、与半导体层相接触的源极区和漏极区；步骤S03，形成覆盖源极区、漏极区和第一栅极的介质层；步骤S04，将介质层与第二支撑衬底键合；步骤S05，以第二支撑衬底为支撑，去除第一支撑衬底以及第一去除层，并在半导体层上依次形成第二栅介质层和第二栅极；步骤S06，完成器件的后续步骤，包括：形成连接第二栅极的第二金属层；形成源漏接触，以及与第二金属层连接的接触。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||