射频横向双扩散金属氧化物半导体及其制造方法

摘要

本发明涉及一种射频横向双扩散金属氧化物半导体及其制造方法，其中方法包括：通过对待生成体区、源区、漂移区和漏区的浓衬底的区域进行刻蚀，形成沟槽区域，在沟槽区域生长轻掺杂外延层，对轻掺杂外延层进行离子注入，生成体区、源区、漏区和漂移区，使得位于浓衬底上部的源区可以直接通过浓衬底引向浓衬底的底部，降低了射频横向双扩散金属氧化物半导体的正背面之间的电阻，从而降低了射频横向双扩散金属氧化物半导体的导通电阻，提高了射频横向双扩散金属氧化物半导体的性能。

主权项

一种射频横向双扩散金属氧化物半导体的制造方法，其特征在于，包括：在浓衬底上沉积硬掩模，形成硬掩模层；采用干法刻蚀法对所述硬掩模层进行刻蚀，去除待生成体区、源区、漂移区和漏区的所述浓衬底上的硬掩模；对待生成体区、源区、漂移区和漏区的所述浓衬底的区域进行刻蚀，形成沟槽区域；在所述沟槽区域生长轻掺杂外延层；采用干法刻蚀法去除所述硬掩模层，在所述轻掺杂外延层上生长栅氧化层；对所述栅氧化层进行处理，形成栅区，通过所述栅区对所述轻掺杂外延层进行离子注入，生成体区、源区、漏区和漂移区；在所述轻掺杂外延层上沉积介电层和金属层，在所述浓衬底底部沉积金属层，形成射频横向双扩散金属氧化物半导体。