| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供锗基衬底；进行离子注入，注入过程中对所述衬底进行加热，离子注入的杂质为F基的N型杂质；进行热退火，以激活掺杂。在本发明中，形成边退火边注入的效应，在注入中利用F消耗注入过程中形成的空位，从而抑制N型杂质的扩散。 | ||
| 申请公布号 | CN106298476A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510292333.0 | 申请日期 | 2015.06.01 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘金彪;李俊峰;王垚;赵超 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 党丽;江怀勤 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供锗基衬底；进行离子注入，注入过程中对所述衬底进行加热，离子注入的杂质为F基的N型杂质；进行热退火，以激活掺杂。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||