| 发明名称 | 一种高压快速软恢复二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高压快速软恢复二极管，包括p+区阳极和n+区阴极，n+区阴极之上设置有n缓冲层，n缓冲层之上设置有n‑漂移区，所述n‑漂移区与p+区阳极之间设置有p基区，在阳极p+区和n‑区之间引入p缓冲层结构。本发明具有隐埋p+区的FRD新结构可以使器件的反向恢复特性变软，反向恢复峰值功耗变低。 | ||
| 申请公布号 | CN106298970A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201610663161.8 | 申请日期 | 2016.08.12 |
| 申请人 | 无锡橙芯微电子股份有限公司 | 发明人 | 王宇澄;周祥瑞 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人 | 杨立 |
| 主权项 | 一种高压快速软恢复二极管，其特征在于：包括p+区阳极(1)和n+区阴极(5)，n+区阴极(5)之上设置有n缓冲层(4)，n缓冲层(4)之上设置有n‑漂移区(3)，所述n‑漂移区(3)与p+区阳极(1)之间设置有p基区(2)，n+区阴极(5)和n缓冲层(4)之间的中部设有p缓冲层结构(6)，所述p缓冲层结构(6)具有隐埋结构。 | ||
| 地址 | 214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10幢2层202-34室 | ||