| 发明名称 | 沟槽型瞬态电压抑制器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种沟槽型瞬态电压抑制器件及其制造方法，方法包括：在硅片上依次生长第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层；在生长第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层后的硅片上刻蚀多个第一沟槽；使用所述第一氧化硅层、氮化硅层和所述第二氧化硅层作为掩膜对所述硅片进行刻蚀，以形成多个第二沟槽；对形成所述多个第二沟槽的硅片进行热氧化、离子注入和填充，以形成所述沟槽型瞬态电压抑制器件。通过该方案，可以提高期间性能和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN106298510A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510306444.2 | 申请日期 | 2015.06.05 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 李理;马万里;赵圣哲 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/329(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人 | 尚志峰;汪海屏 |
| 主权项 | 一种沟槽型瞬态电压抑制器件的制造方法，其特征在于，包括：在硅片上依次生长第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层；在生长第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层后的硅片上刻蚀多个第一沟槽；使用所述第一氧化硅层、氮化硅层和所述第二氧化硅层作为掩膜对所述硅片进行刻蚀，以形成多个第二沟槽；对形成所述多个第二沟槽的硅片进行热氧化、离子注入和填充，以形成所述沟槽型瞬态电压抑制器件。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||