| 发明名称 | 非晶二氧化钛/纳米氧化铱/多孔硅阳极及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非晶二氧化钛/纳米氧化铱/多孔硅阳极及其制备方法，所述阳极包括表面负载纳米氧化铱催化剂的纳米多孔硅基底和二氧化钛保护层；所述二氧化钛保护层涂覆在所述表面负载纳米氧化铱催化剂的纳米多孔硅基底外侧。本发明的合成方法操作简单，所得到的电极仍然保留纳米硅基底的多孔特征和纳米氧化铱催化剂的高效催化性能，并且二氧化钛层的厚度条件可控，其存在使得电极具有较长的使用寿命。而且采用二氧化钛取代传统阳极中的二氧化铱与低温条件制备的特征大幅度降低了电极制备的成本。 | ||
| 申请公布号 | CN106283104A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201610637815.X | 申请日期 | 2016.08.05 |
| 申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 赵一新;钱旭芳;阚淼;贾爱华;岳东亭;张太阳;郭男杰;李戈;任孟;徐凤;祝瑶;王艺鹏 |
| 分类号 | C25B11/06(2006.01)I;C25B1/04(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I | 主分类号 | C25B11/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人 | 郭国中 |
| 主权项 | 一种非晶二氧化钛/纳米氧化铱/多孔硅阳极，其特征在于，所述阳极包括表面负载纳米氧化铱催化剂的纳米多孔硅基底和二氧化钛保护层；所述二氧化钛保护层涂覆在所述表面负载氧化铱催化剂的纳米多孔硅基底外侧。 | ||
| 地址 | 200240 上海市闵行区东川路800号 | ||