| 发明名称 | 半导体器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有一浮栅层，所述浮栅层上形成有至少一控制栅结构，所述控制栅结构具有一侧以及与所述一侧相对的另一侧；在所述控制栅结构的一侧和另一侧分别制备偏移侧墙；以所述控制栅结构和偏移侧墙为掩膜，对所述浮栅层进行刻蚀，形成浮栅，所述浮栅的侧壁的底部向内凹陷形成凹角；去除所述控制栅结构另一侧的偏移侧墙，暴露出部分所述浮栅；以及去除暴露出的所述浮栅。本发明还公开了一种半导体器件。本发明提供的半导体器件及其制备方法能够单独控制浮栅的两个侧壁的倾斜角度，有利于提高闪存的速度，并确保闪存的存储性能。 | ||
| 申请公布号 | CN106298672A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201510250206.4 | 申请日期 | 2015.05.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李敏 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有一浮栅层，所述浮栅层上形成有至少一控制栅结构，所述控制栅结构具有一侧以及与所述一侧相对的另一侧；在所述控制栅结构的一侧和另一侧分别制备偏移侧墙；以所述控制栅结构和偏移侧墙为掩膜，对所述浮栅层进行刻蚀，形成浮栅，所述浮栅的侧壁的底部向内凹陷形成凹角；去除所述控制栅结构另一侧的偏移侧墙，暴露出部分所述浮栅；以及去除暴露出的所述浮栅。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||